Pular para o conteúdo principal

Questão de Engenharia Elétrica — Circuitos Elétricos na Engenharia Elétrica — CESPE / CEBRASPE 2022

Engenharia ElétricaCircuitos Elétricos na Engenharia Elétrica
Código
ce141305
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
POLITEC-RO
Ano
2022
Nível
Superior
Cargo
POLITEC - RO - Perito Criminal - Área 11 - Engenharia Elétrica/Engenharia Eletrônica
No que diz respeito aos componentes e à organização dos microcomputadores, assinale a opção correta.
  1. AO barramento USB é bastante utilizado para conexões periféricas. Na sua versão USB 3.1, está definido o modo de transferência denominado SuperSpeed+, que atinge velocidades acima de 9 Gbps.
  2. BO padrão Thunderbolt de conexão de periféricos combina dados, vídeos e áudios em única conexão de alta velocidade, mas não suporta transferência de energia para periféricos conectados.
  3. CA organização de acesso e utilização da memória segue uma hierarquia, segundo a qual os registradores, a memória cache, a memória principal e os discos rígidos são considerados memórias internas.
  4. DA diferença entre a DRAM e a SDRAM é que a primeira troca dados com o processador de forma síncrona, enquanto a segunda efetua essa troca de forma serial.
  5. ENo mapeamento associativo empregado na memória cache, cada bloco da memória principal é mapeado apenas em uma linha de cache possível.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoA — O barramento USB é bastante utilizado para conexões periféricas. Na sua versão USB 3.1, está definido o modo de transferência denominado SuperSpeed+, que atinge velocidades acima de 9 Gbps.

Comentário gerado por IA. É um apoio ao estudo, ancorado em fontes, mas pode conter imprecisões — confira sempre na fonte oficial (lei, súmula, edital e gabarito da banca). Encontrou um erro? Use “Reportar”.

Componentes e organização de microcomputadores

Gabarito: letra A. A alternativa A está correta porque o padrão USB 3.1 define o modo de transferência SuperSpeed+, que atinge velocidades acima de 9 Gbps (até 10 Gbps na Gen 1 e 20 Gbps na Gen 2). As demais alternativas apresentam erros conceituais sobre Thunderbolt, hierarquia de memória, DRAM/SDRAM e mapeamento associativo de cache.

A questão aborda conhecimentos fundamentais de arquitetura de computadores, especificamente sobre barramentos de conexão, hierarquia de memória e tipos de memória. Vamos analisar cada alternativa em detalhes.

Memórias
  • 1Internas
    • Registradores
    • Cache
    • Principal (RAM)
  • 2Secundárias
    • Discos rígidos
  • 3Tipos de RAM
    • DRAM
      • Assíncrona
    • SDRAM
      • Síncrona (clock do sistema)
  • 4Mapeamento de cache
    • Direto
      • Cada bloco → uma linha
    • Associativo
      • Cada bloco → qualquer linha
LEVEL · soulevel.com.br

Alternativa A — ✅ Correta ⟵ GABARITO

A alternativa A está correta. O padrão USB 3.1 introduziu o modo de transferência SuperSpeed+, que permite taxas de transferência de até 10 Gbps (Gen 1) ou 20 Gbps (Gen 2), ambas acima de 9 Gbps. O USB 3.1 é amplamente utilizado para conexão de periféricos, como discos externos, pendrives e hubs, oferecendo alta velocidade de transferência de dados.

Alternativa B — ❌ Incorreta

A alternativa B está incorreta ao afirmar que o Thunderbolt "não suporta transferência de energia para periféricos conectados". Na realidade, o Thunderbolt suporta fornecimento de energia (power delivery) através do mesmo cabo, permitindo alimentar dispositivos conectados, como monitores e docks. O erro está na negação dessa capacidade.

Alternativa C — ❌ Incorreta

A alternativa C está incorreta ao classificar os discos rígidos como "memórias internas". Na hierarquia de memória, os discos rígidos são considerados memórias secundárias (ou de massa), não internas. As memórias internas são os registradores, a memória cache e a memória principal (RAM). O erro está na inclusão dos discos rígidos no grupo de memórias internas.

Alternativa D — ❌ Incorreta

A alternativa D está incorreta ao inverter as definições de DRAM e SDRAM. A DRAM (Dynamic RAM) é uma memória assíncrona, enquanto a SDRAM (Synchronous DRAM) é síncrona, ou seja, sincronizada com o clock do sistema. O erro está na troca das características: a DRAM não é síncrona e a SDRAM não é serial.

Alternativa E — ❌ Incorreta

A alternativa E está incorreta ao descrever o mapeamento associativo. No mapeamento associativo, cada bloco da memória principal pode ser mapeado em qualquer linha da cache, não em apenas uma. O erro está na restrição de mapeamento, que é característica do mapeamento direto, não do associativo.

Gabarito: letra A

Link permanente: /questoes/ce141305