Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica — CESPE / CEBRASPE 2012
Engenharia EletrônicaEletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
- Código
- ce355430
- Banca
- CESPE / CEBRASPE
- Órgão
- TJ-RO
- Ano
- 2012
- Nível
- Superior
- Cargo
- CESPE - - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.
- ASurge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte fique nula.
- BQuanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N.
- CQuanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal.
- DOcorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.
- EElétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um semicondutor P.