Questão de Engenharia Elétrica — Transistor de Efeito de Campo (FET/MOSFET) — CESPE / CEBRASPE 2024
Engenharia ElétricaTransistor de Efeito de Campo (FET/MOSFET)
- Código
- ce400266
- Banca
- CESPE / CEBRASPE
- Órgão
- CAGEPA
- Ano
- 2024
- Cargo
- Tec ( )
Em circuitos de potência, transistores MOSFET
I têm maior eficiência e velocidade de comutação em comparação com BJTs.
II requerem maior tensão de gate para operar.
III são mais suscetíveis a ruídos do que BJTs.
Assinale a opção correta.
- AApenas o item I está certo.
- BApenas o item II está certo.
- CApenas o item III está certo.
- DApenas os itens I e II estão certos.
- ETodos os itens estão certos.