Questão de Engenharia Naval — Arquitetura naval — CESGRANRIO 2023
Engenharia NavalArquitetura naval
- Código
- cg019646
- Banca
- CESGRANRIO
- Órgão
- Transpetro
- Ano
- 2023
- Nível
- Médio
- Cargo
- Eletricista
Os transistores bipolares de junção (TBJ) revolucionaram a indústria de equipamentos eletrônicos, permitindo a substituição das válvulas e, consequentemente, reduzindo o consumo e as dimensões dos equipamentos eletrônicos.Considerando-se um TBJ do tipo npn, com polarização direta do diodo emissor e polarização reversa no diodo coletor, a corrente de coletor pode apresentar praticamente a mesma magnitude da corrente de emissor devido
- Aà criação de lacunas no coletor, permitindo um fluxo de elétrons quase idêntico nas junções NP e PN.
- Bà superação da barreira de potencial da junção emissor-base e ao campo elétrico formado pela camada de depleção na junção base-coletor, permitindo a geração de um fluxo contínuo de elétrons .
- Cao fato de o coletor ser a região do TBJ com menor índice de dopagem, favorecendo a passagem da maior parte dos elétrons que vem do emissor.
- Dao fato de a base ser uma região fortemente dopada, o que aumenta a injeção de elétrons na região do coletor.
- Eao baixo índice de dopagem do emissor, permitindo um fluxo de elétrons contínuo na direção do coletor.