Memória de Computador
Gabarito: letra B. A alternativa B descreve corretamente o comportamento de um módulo de memória danificado: o sistema pode até funcionar, mas ao acessar a área defeituosa ocorrem erros ou travamentos. As demais alternativas contêm afirmações incorretas sobre sensibilidade a eletricidade estática, capacidade de teste individual de células, proteção contra picos de tensão e resiliência em redes elétricas precárias.
Alternativa A — ❌ Incorreta
Afirma que módulos de memória dificilmente são danificados por eletricidade estática. Na verdade, componentes de memória são muito sensíveis a descargas eletrostáticas (ESD). Mesmo com testes de fábrica, o manuseio inadequado pode danificá-los. Portanto, a afirmação é falsa.
Alternativa B — ✅ Correta ⟵ GABARITO
Corresponde exatamente ao comportamento esperado: um módulo de memória com defeito pode permitir a inicialização e funcionamento normal até que o sistema tente ler ou gravar na área danificada, momento em que surgem erros ou travamentos.
Alternativa C — ❌ Incorreta
Diz que programas de teste como ramtest só testam o módulo completo, sem acessar células individualmente. Na realidade, esses testes escrevem e leem padrões em todas as posições de memória, testando cada célula. A afirmação está errada.
Alternativa D — ❌ Incorreta
A primeira parte nega danos por picos de tensão, mas a segunda parte admite que problemas na placa-mãe podem queimar os pentes. Na verdade, picos de tensão também podem danificar a memória; a fonte não os atenua completamente. A afirmação é contraditória e incorreta.
Alternativa E — ❌ Incorreta
Alega que os pentes de memória são os únicos componentes que não sofrem com falta de aterramento ou rede elétrica precária. Isso é falso: a memória é sensível a oscilações de tensão e más condições elétricas, assim como outros componentes.
Gabarito: letra B.