Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica — FCC 2017
Engenharia EletrônicaEletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
- Código
- fc036613
- Banca
- FCC
- Órgão
- DPE-RS
- Ano
- 2017
- Nível
- Superior
- Cargo
- Analista - Engenharia Elétrica
A capacidade de chaveamento de corrente e a velocidade de comutação dos dispositivos semicondutores de potência varia conforme a sua construção e aplicação. Com relação a frequência de comutação típica de alguns tipos de tiristores, a ordem crescente da frequência é
- AIGBT, GTO, SCR e MOSFET.
- BSCR, GTO, IGBT e MOSFET.
- CMOSFET, IGBT, SCR e GTO.
- DGTO, IGBT, MOSFET e SCR.
- EMOSFET, GTO, SCR e IGBT.