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Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica — FCC 2012

Engenharia EletrônicaEletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
Código
fc126078
Banca
FCC
Órgão
TRF - 2ª REGIÃO
Ano
2012
Nível
Superior
Cargo
Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
Sobre o IGBT, é correto afirmar que é um dispositivo
  1. Ade elevada impedância, mas de baixa corrente.
  2. Bde baixíssima impedância de entrada, mas de alta velocidade.
  3. Cusado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente, mas de baixa velocidade.
  4. Dusado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente em alta velocidade.
  5. Eusado em sistemas de comutação de cargas de baixa corrente, mas de elevada velocidade.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoD — usado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente em alta velocidade.

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