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Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica — FCC 2012

Engenharia EletrônicaEletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
Código
fc130111
Banca
FCC
Órgão
TRF - 2ª REGIÃO
Ano
2012
Nível
Superior
Um diodo de silício com especificação Imagem 007.jpg = 1A @ VFmax = 1,2 V, quando está operando na região de condução, possui resistência de condução aproximadamente
  1. Amaior que 1,2 Ω.
  2. Bmenor que 0,3 Ω.
  3. Centre 0,5 e 0,6 Ω.
  4. Dentre 0,8 e 1,4 Ω.
  5. Eentre 0,2 e 0,5 Ω.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoC — entre 0,5 e 0,6 Ω.

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