Questão de Engenharia Elétrica — Semicondutores de Potência (DIAC, TRIAC, SCR, IGBT, GTO) — FCC 2024

Considere o símbolo do IGBT.   Trata-se de um componente híbrido, com características de dois outros dispositivos, denominados:

1. Atransistor bipolar e capacito, de tântalo.
2. Btransistor bipolar e transistor de efeito de campo.
3. Ccapacito, de tântalo e transistor de efeito de campo.
4. Ddiodo túnel e transistor de eleito de campo.
5. Etransistor de unijunção e diodo Schottky.