Questão de Engenharia Elétrica — Materiais Elétricos — FGV 2018
Engenharia ElétricaMateriais Elétricos
- Código
- fg031627
- Banca
- FGV
- Órgão
- COMPESA
- Ano
- 2018
- Nível
- Superior
- Cargo
- Analista de Saneamento - Engenheiro Eletrônico
Considere o gráfico de Arrhenius da condutividade elétrica (σ) em função da temperatura (T) de um semicondutor tipo n:
Adaptado de “Ciencia dos Materiais”, James F. Shackelford, 6ªed, Pearson, 2008.Analisando o gráfico acima, conclui-se que na faixa de temperatura da
Adaptado de “Ciencia dos Materiais”, James F. Shackelford, 6ªed, Pearson, 2008.Analisando o gráfico acima, conclui-se que na faixa de temperatura da- ARegião I predomina o comportamento extrínseco do semicondutor, devido ao elevado potencial dos portadores de carga do dopante, quando comparado com o potencial da banda de condução.
- BRegião I predomina o efeito de saturação da condução, pois todos os portadores de carga introduzidos pelos dopantes estão na banda de condução, causando máxima capacidade de condução.
- CRegião II predomina o comportamento isolante do semicondutor, pois o número de buracos se iguala ao número de elétrons, eliminando os portadores de cargas e aumentando a resistência superficial de fuga.
- DRegião III predomina o comportamento extrínseco do semicondutor, pois os portadores de cargas dos dopantes atingem a banda de condução em temperaturas inferiores às requeridas pelos elétrons da banda de valência.
- ERegião III predomina o comportamento intrínseco do semicondutor, pois todos os portadores de carga estão na banda de valência, aumentando lentamente a condutividade com a diminuição da temperatura.