Questão de Arquitetura de Computadores — Memória — FGV 2022
- Código
- fg051574
- Banca
- FGV
- Órgão
- SEAD-AP
- Ano
- 2022
- Nível
- Superior
- Cargo
- Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico
- A3, 2, 4 e 1.
- B1, 4, 2 e 3.
- C2, 3, 1 e 4
- D4, 1, 3 e 2.
- E3, 1, 4 e 2.
GabaritoD — 4, 1, 3 e 2.
Gabarito: letra D. A sequência correta é 4 (DRAM), 1 (PROM), 3 (SRAM), 2 (EPROM), conforme as definições técnicas desses tipos de memória. A DRAM é volátil e necessita de refresh; a PROM é programada uma única vez; a SRAM é volátil e rápida, baseada em flip-flops; a EPROM é apagável por luz ultravioleta.
Tipo de Memória | Volatilidade | Programação/Apagamento | Característica Principal |
|---|---|---|---|
DRAM | Volátil | Requer refresh periódico | Armazena dados em capacitores; necessita repotencialização |
PROM | Não volátil | Programada uma única vez pelo usuário | Não pode ser apagada ou reprogramada |
SRAM | Volátil | Não se aplica (escrita/leitura direta) | Alta velocidade; usa circuitos biestáveis (flip-flops) |
EPROM | Não volátil | Apagável por radiação ultravioleta | Pode ser reprogramada após exposição à luz UV |
A sequência 3 (SRAM), 2 (EPROM), 4 (DRAM), 1 (PROM) não corresponde: a primeira descrição é de DRAM, não SRAM; a segunda é de PROM, não EPROM.
A sequência 1 (PROM), 4 (DRAM), 2 (EPROM), 3 (SRAM) erra: a primeira descrição é de DRAM, não PROM; a segunda é de PROM, não DRAM.
A sequência 2 (EPROM), 3 (SRAM), 1 (PROM), 4 (DRAM) não encaixa: a primeira descrição é de DRAM, não EPROM.
A sequência 4 (DRAM), 1 (PROM), 3 (SRAM), 2 (EPROM) corresponde exatamente às descrições dadas: DRAM (refresh), PROM (programável uma vez), SRAM (alta velocidade, circuitos biestáveis), EPROM (apagável por UV).
A sequência 3 (SRAM), 1 (PROM), 4 (DRAM), 2 (EPROM) erra: a primeira descrição é de DRAM, não SRAM; a quarta descrição é de EPROM, mas a posição está trocada.
Gabarito: letra D — sequência 4, 1, 3, 2.
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