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Questão de Arquitetura de Computadores — Memória — FGV 2024

Arquitetura de ComputadoresMemória
Código
fg085308
Banca
FGV
Órgão
INPE
Ano
2024
Nível
Superior
Cargo
Tecnologista Júnior I - Ambiente de Supercomputação e HPC (High-Performance Computing)
É construída com células que armazenam dados como carga em capacitores. A presença ou ausência de carga em um capacitor é interpretada como um binário 0 ou 1. Como os capacitores possuem uma tendência natural para descarregar, esta memória exige atualização (refresh) periódica para manter o dado armazenado.Assinale a opção que apresenta o tipo de memória que possui as características descritas no trecho acima.
  1. ADRAM.
  2. BROM.
  3. CFlash.
  4. DEEPROM.
  5. ECMOS.
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GabaritoA — DRAM.

Comentário gerado por IA. É um apoio ao estudo, ancorado em fontes, mas pode conter imprecisões — confira sempre na fonte oficial (lei, súmula, edital e gabarito da banca). Encontrou um erro? Use “Reportar”.

Memória DRAM

Gabarito: letra A. O texto descreve exatamente o funcionamento da DRAM (Dynamic Random Access Memory): cada célula armazena um bit como carga em um capacitor, e como os capacitores perdem carga naturalmente, é necessário um circuito de refresh periódico para manter os dados. Esse é o princípio fundamental que diferencia a memória dinâmica (DRAM) da estática (SRAM).

A banca cobra o conhecimento básico sobre os tipos de memória semicondutora. A DRAM é a memória principal volátil mais comum em computadores, justamente por seu alto grau de integração e baixo custo por bit, apesar da necessidade de refresh.

Tipo de Memória

Armazenamento por Carga em Capacitor

Necessita de Refresh Periódico

Volatilidade

Tecnologia Base

DRAM

Sim

Sim

Volátil

Capacitor

ROM

Não

Não

Não volátil

Máscara de fábrica

Flash

Não

Não

Não volátil

Porta flutuante

EEPROM

Não

Não

Não volátil

Porta flutuante

CMOS

Não

Não

Volátil (SRAM)

Transistor estático

Memórias semicondutoras
  • 1Voláteis
    • DRAM (capacitor + refresh)
    • SRAM (estática, sem refresh)
  • 2Não voláteis
    • ROM (gravada na fábrica)
    • EEPROM (apagável eletricamente)
    • Flash (porta flutuante)
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Alternativa A — ✅ Correta ⟵ GABARITO

A DRAM é construída com células que armazenam carga em capacitores. A presença de carga representa o bit 1 e a ausência, o bit 0. Como os capacitores descarregam com o tempo, a memória precisa ser refrescada (refresh) a cada poucos milissegundos para não perder os dados. É exatamente o que o enunciado afirma.

Alternativa B — ❌ Incorreta

ROM (Read-Only Memory) é uma memória não volátil, de leitura, cujos dados são gravados durante a fabricação ou por programação especial. Não utiliza capacitores nem requer refresh; seu conteúdo permanece mesmo sem energia. Portanto, não corresponde à descrição.

Alternativa C — ❌ Incorreta

Flash é um tipo de memória não volátil baseada em transistores de porta flutuante (tecnologia EEPROM). Armazena dados mesmo desligada e não precisa de refresh periódico. Embora possa ser regravada, seu funcionamento elétrico é distinto do capacitor da DRAM.

Alternativa D — ❌ Incorreta

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) é uma memória não volátil que pode ser apagada e regravada eletricamente, mas sua célula também é baseada em transistor de porta flutuante, e não em capacitor com refresh. Não se encaixa na descrição.

Alternativa E — ❌ Incorreta

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) é uma tecnologia de fabricação de circuitos integrados, e não um tipo específico de memória. A memória CMOS (como a SRAM alimentada por bateria usada na BIOS) é estática, não dinâmica, e não utiliza capacitores com refresh. Logo, está fora do contexto.

Gabarito: letra A.

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