Questão de Arquitetura de Computadores — Memória — FGV 2024
Arquitetura de Computadores›Memória
Código
fg085308
Banca
FGV
Órgão
INPE
Ano
2024
Nível
Superior
Cargo
Tecnologista Júnior I - Ambiente de Supercomputação e HPC (High-Performance Computing)
É construída com células que armazenam dados como carga em capacitores. A presença ou ausência de carga em um capacitor é interpretada como um binário 0 ou 1. Como os capacitores possuem uma tendência natural para descarregar, esta memória exige atualização (refresh) periódica para manter o dado armazenado.Assinale a opção que apresenta o tipo de memória que possui as características descritas no trecho acima.
ADRAM.
BROM.
CFlash.
DEEPROM.
ECMOS.
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GabaritoA — DRAM.
Comentário gerado por IA. É um apoio ao estudo, ancorado em fontes, mas pode conter imprecisões — confira sempre na fonte oficial (lei, súmula, edital e gabarito da banca). Encontrou um erro? Use “Reportar”.
Memória DRAM
Gabarito: letra A. O texto descreve exatamente o funcionamento da DRAM (Dynamic Random Access Memory): cada célula armazena um bit como carga em um capacitor, e como os capacitores perdem carga naturalmente, é necessário um circuito de refresh periódico para manter os dados. Esse é o princípio fundamental que diferencia a memória dinâmica (DRAM) da estática (SRAM).
A banca cobra o conhecimento básico sobre os tipos de memória semicondutora. A DRAM é a memória principal volátil mais comum em computadores, justamente por seu alto grau de integração e baixo custo por bit, apesar da necessidade de refresh.
Tipo de Memória
Armazenamento por Carga em Capacitor
Necessita de Refresh Periódico
Volatilidade
Tecnologia Base
DRAM
Sim
Sim
Volátil
Capacitor
ROM
Não
Não
Não volátil
Máscara de fábrica
Flash
Não
Não
Não volátil
Porta flutuante
EEPROM
Não
Não
Não volátil
Porta flutuante
CMOS
Não
Não
Volátil (SRAM)
Transistor estático
Memórias semicondutoras
1Voláteis
DRAM (capacitor + refresh)
SRAM (estática, sem refresh)
2Não voláteis
ROM (gravada na fábrica)
EEPROM (apagável eletricamente)
Flash (porta flutuante)
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Alternativa A — ✅ Correta ⟵ GABARITO
A DRAM é construída com células que armazenam carga em capacitores. A presença de carga representa o bit 1 e a ausência, o bit 0. Como os capacitores descarregam com o tempo, a memória precisa ser refrescada (refresh) a cada poucos milissegundos para não perder os dados. É exatamente o que o enunciado afirma.
Alternativa B — ❌ Incorreta
ROM (Read-Only Memory) é uma memória não volátil, de leitura, cujos dados são gravados durante a fabricação ou por programação especial. Não utiliza capacitores nem requer refresh; seu conteúdo permanece mesmo sem energia. Portanto, não corresponde à descrição.
Alternativa C — ❌ Incorreta
Flash é um tipo de memória não volátil baseada em transistores de porta flutuante (tecnologia EEPROM). Armazena dados mesmo desligada e não precisa de refresh periódico. Embora possa ser regravada, seu funcionamento elétrico é distinto do capacitor da DRAM.
Alternativa D — ❌ Incorreta
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) é uma memória não volátil que pode ser apagada e regravada eletricamente, mas sua célula também é baseada em transistor de porta flutuante, e não em capacitor com refresh. Não se encaixa na descrição.
Alternativa E — ❌ Incorreta
CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) é uma tecnologia de fabricação de circuitos integrados, e não um tipo específico de memória. A memória CMOS (como a SRAM alimentada por bateria usada na BIOS) é estática, não dinâmica, e não utiliza capacitores com refresh. Logo, está fora do contexto.