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Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica — FGV 2025

Engenharia EletrônicaEletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
Código
fg107708
Banca
FGV
Órgão
CPRM
Ano
2025
Nível
Superior
Cargo
Analista em Geociências - Engenharia Eletrônica
Você precisa obter imagem topográfica de um polímero isolante, sem metalização, preservando detalhes finos e evitando carregamento, ou seja, o acúmulo de carga elétrica na amostra.O conjunto de condições mais apropriado nesse contexto é
  1. Aalto vácuo, EHT (Electron High Tension) a 20 kV, corrente de sonda alta, WD longo (entre 15 e 25mm), detector ET (Everhart–Thornley) regulado a +10 kV.
  2. BBSE (Backscattered Electrons) com tensão nominal de 20 kV em alto vácuo.
  3. Cmodo VP/LV (pressão variável/baixo vácuo), baixa tensão de aceleração (1–3 kV), corrente de sonda baixa, WD curto (entre 2 e 8 mm), detector gaseado de SE, com integração por quadros para melhorar a relação S/N.
  4. Daumentar dwell por pixel sem alterar corrente de sonda nem vácuo; o tempo extra elimina artefatos de carregamento.
  5. Eoperar em alto vácuo com beam deceleration (aplicar bias negativo de –2 kV no estágio mantendo EHT de 15 kV), usando detecção SE in-lens e WD curto (entre 2 e 8 mm); esse bias mitiga o carregamento.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoC — modo VP/LV (pressão variável/baixo vácuo), baixa tensão de aceleração (1–3 kV), corrente de sonda baixa, WD curto (entre 2 e 8 mm), detector gaseado de SE, com integração por quadros para melhorar a relação S/N.

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