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Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica — FGV 2026

Engenharia EletrônicaEletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
Código
fg129000
Banca
FGV
Órgão
AMAZUL
Ano
2026
Nível
Superior
Cargo
Engenheiro Eletrônico
Durante o projeto térmico de um inversor trifásico PWM operando a 20 kHz, um engenheiro analisa as perdas em um transistor IGBT responsável pelo chaveamento de uma das fases do circuito.O dispositivo é especificado pelo fabricante com os seguintes parâmetros sob as condições nominais de operação:Imagem associada para resolução da questãoConsiderando que o transistor IGBT atua como chave idealizada e que a operação ocorre em regime estacionário, a temperatura aproximada da junção do dispositivo é
  1. A45 °C.
  2. B55 °C.
  3. C60 °C.
  4. D65 °C.
  5. E70 °C.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoD — 65 °C.

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