Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica — FGV 2026
Engenharia EletrônicaEletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
- Código
- fg129000
- Banca
- FGV
- Órgão
- AMAZUL
- Ano
- 2026
- Nível
- Superior
- Cargo
- Engenheiro Eletrônico
Durante o projeto térmico de um inversor trifásico PWM operando a 20 kHz, um engenheiro analisa as perdas em um transistor IGBT responsável pelo chaveamento de uma das fases do circuito.O dispositivo é especificado pelo fabricante com os seguintes parâmetros sob as condições nominais de operação:
Considerando que o transistor IGBT atua como chave idealizada e que a operação ocorre em regime estacionário, a temperatura aproximada da junção do dispositivo é
Considerando que o transistor IGBT atua como chave idealizada e que a operação ocorre em regime estacionário, a temperatura aproximada da junção do dispositivo é- A45 °C.
- B55 °C.
- C60 °C.
- D65 °C.
- E70 °C.