Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica — FGV 2026
Engenharia EletrônicaEletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
- Código
- fg129001
- Banca
- FGV
- Órgão
- AMAZUL
- Ano
- 2026
- Nível
- Superior
- Cargo
- Engenheiro Eletrônico
Os dispositivos semicondutores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) e MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) são amplamente utilizados como chaves eletrônicas em conversores e inversores de potência, pois permitem o controle de grandes correntes com sinal de comando de baixa potência.Com base na estrutura física e no princípio de operação desses dispositivos, analise as afirmativas a seguir:I. Tanto o IGBT quanto o MOSFET são dispositivos controlados por tensão aplicada ao gate, com elevada impedância de entrada devido à presença da camada isolante de dióxido de silício, SiO₂.II. No MOSFET, a condução é realizada apenas por portadores majoritários, elétrons, enquanto no IGBT há injeção de portadores minoritários.III. O IGBT apresenta queda de tensão de condução praticamente constante (VCE(sat) ), enquanto o MOSFET possui comportamento resistivo, com perdas proporcionais a I ²RDS(on) .É correto o que se afirma em
- AII, apenas.
- BI e II, apenas.
- CI e III, apenas.
- DII e III, apenas.
- EI, II e III.