Questão de Engenharia Elétrica — Semicondutores de Potência (DIAC, TRIAC, SCR, IGBT, GTO) — FGV 2024
Engenharia ElétricaSemicondutores de Potência (DIAC, TRIAC, SCR, IGBT, GTO)
- Código
- fg163031
- Banca
- FGV
- Órgão
- INPE
- Ano
- 2024
- Cargo
- Tecno P1 ( )
Considere um projeto que emprega uma fonte de alimentação e um IGBT para alimentar uma carga puramente resistiva de 20 \Omega onde a corrente média na carga é controlada pelo chaveamento do IGBT Sabe-se que, nesse projeto, a tensão da fonte de alimentação é 120 V, a tensão queda de tensão entre coletor e emissor do IGBT é 4 V e a corrente média da carga é 2,32 A. Diante do exposto, o ciclo de trabalho do circuito de chaveamento, em valores percentuais, é
- A0,2.
- B0,4.
- C0,5.
- D0,6.
- E0,8.