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Questão de Engenharia Elétrica — Transistor de Efeito de Campo (FET/MOSFET) — FUNDATEC 2025

Engenharia ElétricaTransistor de Efeito de Campo (FET/MOSFET)
Código
qa653467
Banca
FUNDATEC
Órgão
IF RS
Ano
2025
Cargo
PEBTT ( )
Analise o circuito da Figura 14, uma configuração FET com polarização por divisor de tensão. Sabendo-se que VD = 12 V e VGSQ = –2 V, determine o valor de RS. Considere os componentes como ideais. Realize arredondamento a partir da segunda casa decimal.Imagem associada para resolução da questão
  1. ARS≈5,4kΩ.RS\approx 5,4 k\Omega.
  2. BRS≈4,4kΩ.RS\approx 4,4 k\Omega.
  3. CRS≈3,4kΩ.RS\approx 3,4 k\Omega.
  4. DRS≈2,4kΩ.RS\approx 2,4 k\Omega.
  5. ERS≈1,4kΩ.RS\approx 1,4 k\Omega.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoC — RS\approx 3,4 k\Omega.

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