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Questão de Engenharia Elétrica — Transistor de Efeito de Campo (FET/MOSFET) — FUNDATEC 2025

Engenharia ElétricaTransistor de Efeito de Campo (FET/MOSFET)
Código
qa653467
Banca
FUNDATEC
Órgão
IF RS
Ano
2025
Cargo
PEBTT ( )
Analise o circuito da Figura 14, uma configuração FET com polarização por divisor de tensão. Sabendo-se que VD = 12 V e VGSQ = –2 V, determine o valor de RS. Considere os componentes como ideais. Realize arredondamento a partir da segunda casa decimal.Imagem associada para resolução da questão
  1. ARS5,4kΩ.RS\approx 5,4 k\Omega.
  2. BRS4,4kΩ.RS\approx 4,4 k\Omega.
  3. CRS3,4kΩ.RS\approx 3,4 k\Omega.
  4. DRS2,4kΩ.RS\approx 2,4 k\Omega.
  5. ERS1,4kΩ.RS\approx 1,4 k\Omega.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoC — RS\approx 3,4 k\Omega.

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