Pular para o conteúdo principal

Questão de Engenharia Elétrica — Transistor de Efeito de Campo (FET/MOSFET) — FUNDATEC 2025

Engenharia ElétricaTransistor de Efeito de Campo (FET/MOSFET)
Código
qa653495
Banca
FUNDATEC
Órgão
IF AM
Ano
2025
Cargo
Eng ( )

Segundo Balbinot (2010), o field effect transistor (FET), ou transistor de efeito de campo, é um dispositivo unipolar, sua operação parte do princípio de que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo "P" ou portadores do tipo "N", os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal N. Referente às principais vantagens do FET em relação ao transistor bipolar, assinale V, se verdadeiras, ou F, se falsas.

 

( ) Baixa impedância de entrada.

( ) Maior imunidade a ruído.

( ) Menor estabilidade térmica.

( ) Fabricação relativamente simples.

 

A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:

  1. AV – V – F – V.
  2. BF – F – V – F.
  3. CV – F – V – F.
  4. DF – V – F – V.
  5. EV – F – F – V.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoD — F – V – F – V.

Link permanente: /questoes/qa653495