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Questão de Arquitetura de Computadores — Memória — COTEC 2024

Arquitetura de ComputadoresMemória
Código
qg114830
Banca
COTEC
Órgão
Prefeitura de Pirapora - MG
Ano
2024
Nível
Médio
Cargo
Técnico em Informática
Latência de memória refere-se ao tempo que a memória RAM leva para acessar e recuperar dados. Em outras palavras, é o intervalo entre o momento em que a CPU solicita informações armazenadas na memória RAM e quando a RAM realmente entrega essas informações à CPU. Sobre o tema latência, avalie as proposições a seguir:I - Existem diferentes tipos de latências, sendo as mais comuns a CAS Latency (CL), a RAS to CAS Delay (tRCD), a Row Precharge Time (tRP) e a Active to Precharge Delay (tRAS). Esses valores são combinados para formar a latência total da memória.II - Memórias RAM com latências mais altas são mais rápidas, pois permitem que a CPU acesse e recupere dados mais rapidamente. Isso se traduz em um sistema mais responsivo e melhor desempenho em jogos e aplicações.III - A latência é medida em nanossegundos (ns) e também é expressa em termos de ciclos de clock (CL).As afirmativas CORRETAS são:
  1. AApenas I.
  2. BApenas II.
  3. CI e II.
  4. DI e III.
  5. EII e III.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoD — I e III.

Comentário gerado por IA. É um apoio ao estudo, ancorado em fontes, mas pode conter imprecisões — confira sempre na fonte oficial (lei, súmula, edital e gabarito da banca). Encontrou um erro? Use “Reportar”.

Latência de memória RAM

Gabarito: letra D (I e III). A latência da memória RAM refere-se ao tempo de acesso, e as afirmações I e III estão corretas: existem diferentes tipos de latências (CL, tRCD, tRP, tRAS) que compõem a latência total, e a latência pode ser medida em nanossegundos ou em ciclos de clock (CL). A afirmativa II inverte o conceito: latências mais baixas, e não mais altas, indicam maior velocidade de acesso.

Afirmativa

Conteúdo

Classificação

Justificativa

I

Existem diferentes tipos de latências (CL, tRCD, tRP, tRAS) que compõem a latência total da memória

✅ Correta

Lista corretamente os quatro timings mais comuns da DRAM

II

Latências mais altas tornam a memória mais rápida

❌ Incorreta

Inverte o conceito: latências mais baixas indicam maior velocidade

III

Latência é medida em nanossegundos e também em ciclos de clock (CL)

✅ Correta

A latência pode ser expressa em ambas as unidades, com relação tempo = CL × período do clock

1Tipos de latência
CAS Latency (CL)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Row Precharge Time (tRP)
Active to Precharge Delay (tRAS)
2Medição
Nanossegundos (ns)
Ciclos de clock (CL)
3Relação com velocidade
Latência mais alta → mais lenta
Latência mais baixa → mais rápida
Latência de memória RAM
LEVELsoulevel.com.br
Latência de memória RAM: Tipos de latência (CAS Latency (CL), RAS to CAS Delay (tRCD), Row Precharge Time (tRP), Active to Precharge Delay (tRAS)); Medição (Nanossegundos (ns), Ciclos de clock (CL)); Relação com velocidade (Latência mais alta → mais lenta, Latência mais baixa → mais rápida)

Item I — ✅ Correto

A afirmativa lista corretamente os quatro timings mais comuns da memória DRAM (CAS Latency, RAS to CAS Delay, Row Precharge Time, Active to Precharge Delay), que de fato são combinados para determinar a latência total.

Item II — ❌ Incorreto

Afirma que latências mais altas tornam a memória mais rápida, o que é o oposto da verdade. Quanto menor o valor de cada latência (em ciclos de clock), menor o tempo de acesso e mais rápida a memória. Latências altas significam maior espera da CPU.

Item III — ✅ Correto

A latência é expressa tanto em nanossegundos (tempo absoluto) quanto em número de ciclos de clock (CL). A relação é: tempo = CL × período do clock.

Gabarito: letra D — corretas apenas I e III.

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