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Questão de Arquitetura de Computadores — Memória — FADURPE 2024

Arquitetura de ComputadoresMemória
Código
qg130328
Banca
FADURPE
Órgão
UFRPE
Ano
2024
Nível
Médio
Cargo
Técnico de Tecnologia da Informação / Área Suporte e Redes
Considere as afirmações a seguir sobre as memórias usadas em PC’s.1) As memórias EEPROMs se diferem das EPROMs porque sua deleção de dados pode ser feita eletricamente dentro do próprio circuito.2) O modelo SRAM requer uma interface mais simples do que o modelo DRAM, mas é mais custoso.3) O modelo DRAM utiliza mais transístores por bit do que o modelo SRAM, mas consegue ser mais miniaturizado do que o modelo SRAM.4) As memórias DDR de uma certa versão apresentam compatibilidade retroativa, podendo ser utilizadas em placas-mãe feitas para versões anteriores.Estão corretas, apenas,
  1. A1 e 2.
  2. B2 e 3.
  3. C1 e 4.
  4. D3 e 4.
  5. E1, 3 e 4.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoA — 1 e 2.

Comentário gerado por IA. É um apoio ao estudo, ancorado em fontes, mas pode conter imprecisões — confira sempre na fonte oficial (lei, súmula, edital e gabarito da banca). Encontrou um erro? Use “Reportar”.

Memórias em PCs: EPROM, EEPROM, SRAM, DRAM e DDR

Gabarito: letra A (corretas apenas 1 e 2). A afirmação 1 diferencia corretamente EEPROM e EPROM (apagamento elétrico in-circuit vs. ultravioleta). A afirmação 2 descreve corretamente SRAM: interface mais simples (sem refresh) e maior custo por bit. Já a afirmação 3 inverte o número de transistores (SRAM usa mais transistores por bit que DRAM) e a afirmação 4 erra ao afirmar compatibilidade retroativa entre gerações DDR.

Análise detalhada das afirmações

Afirmação 1 — ✅ Correta

A EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) pode ser apagada e regravada eletricamente dentro do próprio circuito, diferentemente da EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory), que exige exposição à luz ultravioleta para apagamento e precisa ser removida do circuito.

Afirmação 2 — ✅ Correta

A SRAM (Static Random Access Memory) utiliza latch (normalmente 6 transistores por bit), dispensando circuitos de refresh, o que torna sua interface de controle mais simples. Porém, o maior número de transistores a torna mais cara por bit que a DRAM.

Afirmação 3 — ❌ Incorreta

O erro está em afirmar que a DRAM utiliza mais transistores por bit que a SRAM. Na verdade, a DRAM usa apenas 1 transistor + 1 capacitor por bit, enquanto a SRAM usa tipicamente 6 transistores por bit. Assim, a DRAM usa menos transistores por bit, o que permite maior densidade e miniaturização — mas a primeira parte da afirmação é falsa.

Afirmação 4 — ❌ Incorreta

As memórias DDR de diferentes gerações (DDR, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5) não são compatíveis retroativamente com placas-mãe de versões anteriores. Cada geração possui entalhes físicos (chavetas) e tensões elétricas diferentes, impedindo o encaixe e o funcionamento.

Conclusão: Apenas as afirmações 1 e 2 estão corretas, correspondendo à alternativa A.

Afirmação

Conteúdo

Correção

Motivo

1

EEPROM vs. EPROM: apagamento elétrico in-circuit vs. ultravioleta

✅ Correta

A EEPROM pode ser apagada eletricamente dentro do próprio circuito; a EPROM requer luz UV e remoção do circuito.

2

SRAM: interface mais simples (sem refresh) e maior custo por bit que DRAM

✅ Correta

SRAM usa latch (6 transistores/bit), dispensando refresh; maior número de transistores eleva o custo.

3

DRAM usa mais transistores por bit que SRAM, mas é mais miniaturizada

❌ Incorreta

DRAM usa 1 transistor + 1 capacitor por bit; SRAM usa 6 transistores por bit. DRAM usa menos transistores, não mais.

4

DDR de uma versão é compatível retroativamente com placas-mãe de versões anteriores

❌ Incorreta

Gerações DDR possuem chavetas físicas e tensões diferentes, impedindo compatibilidade retroativa.

Gabarito: letra A

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