Questão de Arquitetura de Computadores — Memória — FADURPE 2024
- Código
- qg130328
- Banca
- FADURPE
- Órgão
- UFRPE
- Ano
- 2024
- Nível
- Médio
- Cargo
- Técnico de Tecnologia da Informação / Área Suporte e Redes
- A1 e 2.
- B2 e 3.
- C1 e 4.
- D3 e 4.
- E1, 3 e 4.
GabaritoA — 1 e 2.
Gabarito: letra A (corretas apenas 1 e 2). A afirmação 1 diferencia corretamente EEPROM e EPROM (apagamento elétrico in-circuit vs. ultravioleta). A afirmação 2 descreve corretamente SRAM: interface mais simples (sem refresh) e maior custo por bit. Já a afirmação 3 inverte o número de transistores (SRAM usa mais transistores por bit que DRAM) e a afirmação 4 erra ao afirmar compatibilidade retroativa entre gerações DDR.
A EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) pode ser apagada e regravada eletricamente dentro do próprio circuito, diferentemente da EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory), que exige exposição à luz ultravioleta para apagamento e precisa ser removida do circuito.
A SRAM (Static Random Access Memory) utiliza latch (normalmente 6 transistores por bit), dispensando circuitos de refresh, o que torna sua interface de controle mais simples. Porém, o maior número de transistores a torna mais cara por bit que a DRAM.
O erro está em afirmar que a DRAM utiliza mais transistores por bit que a SRAM. Na verdade, a DRAM usa apenas 1 transistor + 1 capacitor por bit, enquanto a SRAM usa tipicamente 6 transistores por bit. Assim, a DRAM usa menos transistores por bit, o que permite maior densidade e miniaturização — mas a primeira parte da afirmação é falsa.
As memórias DDR de diferentes gerações (DDR, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5) não são compatíveis retroativamente com placas-mãe de versões anteriores. Cada geração possui entalhes físicos (chavetas) e tensões elétricas diferentes, impedindo o encaixe e o funcionamento.
Conclusão: Apenas as afirmações 1 e 2 estão corretas, correspondendo à alternativa A.
Afirmação | Conteúdo | Correção | Motivo |
|---|---|---|---|
1 | EEPROM vs. EPROM: apagamento elétrico in-circuit vs. ultravioleta | ✅ Correta | A EEPROM pode ser apagada eletricamente dentro do próprio circuito; a EPROM requer luz UV e remoção do circuito. |
2 | SRAM: interface mais simples (sem refresh) e maior custo por bit que DRAM | ✅ Correta | SRAM usa latch (6 transistores/bit), dispensando refresh; maior número de transistores eleva o custo. |
3 | DRAM usa mais transistores por bit que SRAM, mas é mais miniaturizada | ❌ Incorreta | DRAM usa 1 transistor + 1 capacitor por bit; SRAM usa 6 transistores por bit. DRAM usa menos transistores, não mais. |
4 | DDR de uma versão é compatível retroativamente com placas-mãe de versões anteriores | ❌ Incorreta | Gerações DDR possuem chavetas físicas e tensões diferentes, impedindo compatibilidade retroativa. |
Gabarito: letra A
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