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Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica — IV - UFG 2024

Engenharia EletrônicaEletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
Código
qg270470
Banca
IV - UFG
Órgão
Prefeitura de Rio Branco - AC
Ano
2024
Nível
Superior
Cargo
Engenheiro de Telecomunicações
Em projetos de circuitos com Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs) de canal n tipo enriquecimento, a polarização do MOSFET é uma etapa essencial. Para obter a saturação como modo de operação, é comum garantir a formação do canal n e fazer a interconexão de dois de seus terminais. Essa configuração é amplamente utilizada para projeto de espelhos de corrente. Nessa configuração, os terminais curtoscircuitados são
  1. Aporta e fonte.
  2. Bfonte e dreno.
  3. Cporta e dreno.
  4. Dcorpo e porta.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoC — porta e dreno.

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