Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica — FUNDATEC 2025
Engenharia EletrônicaEletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
- Código
- qg473768
- Banca
- FUNDATEC
- Órgão
- IF-AM
- Ano
- 2025
- Nível
- Superior
- Cargo
- Engenheiro - Área Elétrica
Segundo Balbinot (2010), o field effect transistor (FET), ou transistor de efeito de campo, é um dispositivo unipolar, sua operação parte do princípio de que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo “P” ou portadores do tipo “N”, os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal P e FET de canal N. Referente às principais vantagens do FET em relação ao transistor bipolar, assinale V, se verdadeiras, ou F, se falsas.( ) Baixa impedância de entrada.( ) Maior imunidade a ruído.( ) Menor estabilidade térmica.( ) Fabricação relativamente simples.A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:
- AV – V – F – V.
- BF – F – V – F.
- CV – F – V – F.
- DF – V – F – V.
- EV – F – F – V.