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Questão de Arquitetura de Computadores — Hardware — IPEFAE 2025

Arquitetura de ComputadoresHardware
Código
qg544712
Banca
IPEFAE
Órgão
Prefeitura de Andradas - MG
Ano
2025
Nível
Médio
Cargo
Técnico em Informática
Sobre as memórias voláteis e as memórias não voláteis, assinale a alternativa correta.
  1. AA principal característica da ROM Mask (ROM Máscara) está relacionada ao seu processo de fabricação, visto que é na etapa fabril que os dados serão gravados (armazenados). Por isso, antes de iniciar o processo de fabricação, define-se o conjunto de dados que será́ armazenado em cada posição da memória e, em seguida, cria-se uma máscara matriz que contenha os dados que serão gravados diretamente na memória.
  2. BAo contrário da Programmable ROM (ROM Programável), a ROM Mask é fabricada com as posições de memórias “vazias”, ou seja, essa é uma memória que deve ser programada pelo usuário por meio de equipamento específico, como um gravador de RAM (Random Access Memory ou Memória de Acesso Randômico).
  3. CA memória Flash normalmente é encontrada em sistemas de memória de alta performance e com baixa capacidade de armazenamento, como memória cache integrada aos discos rígidos e às placas-mãe.
  4. DA memória Flash nada mais é que uma evolução da memória Static RAM (RAM Estática), ou seja, tem o seu funcionamento baseado em circuitos flip-flops do tipo D.
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GabaritoA — A principal característica da ROM Mask (ROM Máscara) está relacionada ao seu processo de fabricação, visto que é na etapa fabril que os dados serão gravados (armazenados). Por isso, antes de iniciar o processo de fabricação, define-se o conjunto de dados que será́ armazenado em cada posição da memória e, em seguida, cria-se uma máscara matriz que contenha os dados que serão gravados diretamente na memória.

Comentário gerado por IA. É um apoio ao estudo, ancorado em fontes, mas pode conter imprecisões — confira sempre na fonte oficial (lei, súmula, edital e gabarito da banca). Encontrou um erro? Use “Reportar”.

Memórias voláteis e não voláteis

Gabarito: letra A. A alternativa A descreve corretamente a ROM Mask (ROM de máscara), cujos dados são gravados durante a fabricação por meio de uma máscara matriz. As demais alternativas confundem características ou invertem conceitos.

A banca testa o conhecimento sobre os tipos de memória somente de leitura (ROM) e suas variantes, além da memória Flash e SRAM. É fundamental saber que:

  • ROM Mask: programada na fábrica; não pode ser alterada.

  • PROM (Programmable ROM): programável pelo usuário com equipamento específico.

  • Flash: memória não volátil, de alta capacidade e baixa performance (comparada à RAM), usada em pendrives e SSDs, não em cache.

  • SRAM: memória volátil baseada em flip-flops, de alta velocidade, usada em cache.

Memórias não voláteis (ROM)
  • 1ROM Mask
    • Gravada na fábrica
    • Máscara matriz
    • Não reprogramável
  • 2PROM
    • Programável pelo usuário
    • Equipamento específico
  • 3Flash
    • Alta capacidade
    • Baixa performance (vs. RAM)
    • Não volátil
    • Pendrives e SSDs
  • 4Memórias voláteis (RAM)
    • SRAM
      • Flip-flops
      • Alta velocidade
      • Cache
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Alternativa A — ✅ Correta ⟵ GABARITO

Descreve com precisão o processo de fabricação da ROM Mask: os dados são definidos antes da fabricação e uma máscara matriz é criada para gravar os dados diretamente no chip. É uma memória não volátil e não reprogramável.

Alternativa B — ❌ Incorreta

Afirma que a ROM Mask é fabricada com posições "vazias" e deve ser programada pelo usuário, o que é exatamente o oposto. Na verdade, a ROM Mask já sai da fábrica com os dados gravados; quem é programável pelo usuário é a PROM (Programmable ROM), geralmente com um gravador específico. Além disso, o equipamento citado como "gravador de RAM" não faz sentido para programar ROM.

Alternativa C — ❌ Incorreta

A memória Flash não é de alta performance nem de baixa capacidade; ela é mais lenta que a RAM, mas oferece alta capacidade de armazenamento (GB a TB) e é não volátil. Memória cache de discos rígidos e placas-mãe utiliza, em geral, SRAM (volátil e rápida), e não Flash.

Alternativa D — ❌ Incorreta

A memória Flash não é uma evolução da SRAM. A SRAM é uma memória volátil baseada em flip-flops (geralmente 6 transistores por bit). A Flash é uma memória não volátil baseada em transistores de porta flutuante (tecnologia EEPROM), sem qualquer relação com flip-flops. São tecnologias distintas e com aplicações diferentes.

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