Questão de Engenharia Elétrica — Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica — UEM 2025
Engenharia ElétricaEletromagnetismo na Engenharia Elétrica
- Código
- qg617303
- Banca
- UEM
- Órgão
- UEM
- Ano
- 2025
- Nível
- Superior
- Cargo
- Engenheiro Eletricista - Edital nº 175
Considerando um cristal de silício puro e semicondutores dopados, assinale a alternativa correta.
- AUm semicondutor intrínseco apresenta condutividade muito alta à temperatura ambiente, pois possui grande número de portadores de cargas livres.
- BA dopagem do silício com átomos pentavalentes (como o fósforo) cria um semicondutor tipo P, caracterizado pela predominância de lacunas como portadores majoritários.
- CA dopagem do silício com átomos trivalentes (como o boro) cria um semicondutor tipo N, caracterizado pela predominância de elétrons como portadores majoritários.
- DO aumento da temperatura em um semicondutor intrínseco aumenta a condutividade, pois promove a geração de pares elétron-lacuna.
- EA condutividade de um semicondutor é independente do tipo e da concentração de dopantes e depende apenas da estrutura cristalina do material.