Questão de Engenharia Elétrica — Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica — Unesc 2025
Engenharia ElétricaEletromagnetismo na Engenharia Elétrica
- Código
- qg631088
- Banca
- Unesc
- Órgão
- Prefeitura de Içara - SC
- Ano
- 2025
- Nível
- Superior
- Cargo
- Engenheiro Eletricista
A condutividade em semicondutores é controlada por impurezas e condições externas, influenciando o desempenho de dispositivos eletrônicos. Avaliando um diodo de silício com dopagem tipo N em uma fonte de alimentação, a análise técnica concentra-se na mobilidade dos portadores de carga no material semicondutor. Acerca da mobilidade dos portadores, marque V para as afirmativas verdadeiras e F para as falsas.(__)A mobilidade dos elétrons em semicondutores tipo N é maior que a dos buracos, favorecendo a condução por elétrons.(__)A mobilidade dos portadores em semicondutores é diretamente proporcional à temperatura, aumentando indefinidamente com o aquecimento.(__)A mobilidade dos portadores em semicondutores tipo P depende exclusivamente da dopagem, sem relação com a estrutura cristalina.(__)A mobilidade dos portadores é influenciada pela dopagem, diminuindo em altos níveis devido a colisões com impurezas.Após análise, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta dos itens acima, de cima para baixo:
- AF, F, V, F.
- BV, F, F, V.
- CF, F, V, V.
- DV, V, V, V.
- EV, F, F, F.