Questão de Não definido — Geral — INSTITUTO AOCP 2026
Não definidoGeral
- Código
- qg724773
- Banca
- INSTITUTO AOCP
- Órgão
- IF-CE
- Ano
- 2026
- Nível
- Superior
- Cargo
- Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle
A equação característica do diodo semicondutor PN é descrita pelo modelo exponencial de Shockley:
Sabe-se que 1S é a corrente de saturação reversa, VT=
é a tensão térmica en é o fator de idealidade. Considere um diodo de silício operando a 300 K, com1S= ₁₀-¹²A, n = 1, conduzindo uma corrente direta de 5 mA. Desprezando o termo “−1” da equação, a tensão direta aproximada no diodo será
Sabe-se que 1S é a corrente de saturação reversa, VT= é a tensão térmica en é o fator de idealidade. Considere um diodo de silício operando a 300 K, com1S= ₁₀-¹²A, n = 1, conduzindo uma corrente direta de 5 mA. Desprezando o termo “−1” da equação, a tensão direta aproximada no diodo será- A0,37 V.
- B0,48 V.
- C0,51 V.
- D0,55 V.
- E0,61 V.