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Questão de Eletrônica — Eletrônica Analógica — IESES 2009

EletrônicaEletrônica Analógica
Código
qg807313
Banca
IESES
Órgão
CREA-SC
Ano
2009
Nível
Médio
Com relação à polarização do transistor, analise as seguintes alternativas:I. A polarização direta no diodo emissor controla o número de elétrons livres injetados na base. Quanto maior VBE, maior o número de elétrons injetados.II. A polarização reversa no diodo coletor tem muita influência no número de elétrons que entram no coletor. Aumentando-se VCB tornase menos inclinada a barreira de energia do coletor.III. A tensão de ruptura não depende da largura da camada de depleção e dos níveis de dopagem.IV. Aumentando-se VCB a polarização reversa do diodo coletor aumenta a largura do canal p, o que equivale a uma diminuição na resistência de espalhamento da base.A seqüência correta é:
  1. AApenas as assertivas I e IV estão corretas.
  2. BApenas as assertivas II, III e IV estão corretas.
  3. CApenas as assertivas I e III estão corretas.
  4. DApenas a assertiva I está correta.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoD — Apenas a assertiva I está correta.

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