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Questão de Engenharia Elétrica — Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica — FUNCAB 2014

Engenharia ElétricaEletromagnetismo na Engenharia Elétrica
Código
qq059993
Banca
FUNCAB
Órgão
SEDAM-RO
Ano
2014
Nível
Superior
Cargo
Analista Ambienetal - Engenheiro Eletricista
Em relação aos materiais semicondutores, pode-se afirmar que:
  1. Aum semicondutor do tipo “p” pode ser produzido através da dopagem do silício com impureza trivalente.
  2. Bum semicondutor pode possuir fluxos de elétron e de lacunas, assim como nos materiais condutores.
  3. Co semicondutor intrínseco é do tipo “p” e o extrínseco é do tipo “n”.
  4. Dum semicondutor do tipo “n” pode ser produzido através da dopagem do silício com impureza trivalente.
  5. Eem um semicondutor do tipo “n” as lacunas são os portadores majoritários.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoA — um semicondutor do tipo “p” pode ser produzido através da dopagem do silício com impureza trivalente.

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