Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica — FUNCERN 2017
Engenharia EletrônicaEletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
- Código
- qq263109
- Banca
- FUNCERN
- Órgão
- IF-RN
- Ano
- 2017
- Nível
- Superior
- Cargo
- Professor - Eletrônica
Para responder a questão, considere o texto abaixo.Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação 
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é- A1,98 V
- B1,69 V
- C1,89 V
- D1,78 V