Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica — FUNCERN 2017
Engenharia EletrônicaEletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica
- Código
- qq263112
- Banca
- FUNCERN
- Órgão
- IF-RN
- Ano
- 2017
- Nível
- Superior
- Cargo
- Professor - Eletrônica
Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75.
Fonte: FUNCERN, 2017.Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de
Fonte: FUNCERN, 2017.Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de- A1,79 kΩ
- B7,06 kΩ
- C38,83 Ω
- D353,00 Ω