Questão de Engenharia Elétrica — Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica — FUNCERN 2017
Engenharia ElétricaEletromagnetismo na Engenharia Elétrica
- Código
- qq263137
- Banca
- FUNCERN
- Órgão
- IF-RN
- Ano
- 2017
- Nível
- Superior
- Cargo
- Professor - Equipamentos Biomédicos
Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 10¹⁶ cm-³ e concentração de dopantes doadores ND= 10¹⁵ cm-³.Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 10¹⁰ cm-³e constante dielétrica do semicondutor s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,
- A0,66 eV,
- B0,75 eV,
- C0,56 eV,
- D0,80 eV,