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Questão de Engenharia Elétrica — Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica — FUNCERN 2017

Engenharia ElétricaEletromagnetismo na Engenharia Elétrica
Código
qq263138
Banca
FUNCERN
Órgão
IF-RN
Ano
2017
Nível
Superior
Cargo
Professor - Equipamentos Biomédicos
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
  1. A1,98 V
  2. B1,69 V
  3. C1,89 V
  4. D1,78 V
Revelar gabarito e comentário

GabaritoD — 1,78 V

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