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Questão de Eletrônica — Eletrônica Analógica — NC-UFPR 2017

EletrônicaEletrônica Analógica
Código
qq292507
Banca
NC-UFPR
Órgão
COPEL
Ano
2017
Nível
Médio
Cargo
Técnico Industrial de Eletrônica I
Sobre os dispositivos semicondutores utilizados para o processamento de energia elétrica em circuitos eletrônicos, identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas:( ) Os diodos Schottky apresentam um elevado tempo de recuperação da capacidade de bloqueio, motivo pelo qual são usados em aplicações envolvendo altas frequências.( ) Uma vez polarizado corretamente e aplicada uma corrente de gatilho apropriada, o tiristor comporta-se como um diodo em condução, não havendo mais controle externo sobre o seu instante de bloqueio.( ) Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda região “p” ou “n” a um diodo de junção “pn”, formando assim duas junções, a junção Coletor-Base e a junção Base-Emissor.( ) Os transistores MOSFET são dispositivos controlados por tensão, implicando a necessidade de um circuito de baixa corrente para o seu acionamento. Além disso, apresentam melhores características para operação em altas frequências quando comparados com os transistores bipolares.( ) O MOSFET apresenta alta impedância de entrada, com a vantagem de proporcionar menores perdas em condução.Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo.
  1. AF – V – V – V – F.
  2. BV – F – V – F – V.
  3. CV – V – F – V – V.
  4. DV – F – V – V – F.
  5. EF – V – F – F – V.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoA — F – V – V – V – F.

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