Questão de Engenharia Mecânica — Mecânica dos Sólidos — FUMARC 2018

Um substrato de silício do tipo p, com 5.1015 átomos de boro por cm³ , foi a matéria prima para fabricar microcircuitos eletrônicos. Para produzir as uniões n-p, se difundiram átomos de fósforo no substrato. Na temperatura de pré-deposição de 1.000°C, a solubilidade do P no Si é 1.10 ²¹ átomos de P/cm³ . O coeficiente de difusão do P no Si na temperatura de 1.000°C é 1,2. 10-¹⁴cm² /s. Calcule a profundidade das uniões depois da pré-deposição em tempo de 3.600s.A profundidade das uniões é igual a

1. A0,120 µm
2. B0,240 µm
3. C0,315 µm
4. D0,420 µm