Questão de Arquitetura de Software — Conceitos Básicos em Governança de TI — FUNDATEC 2023
- Código
- qq890425
- Banca
- FUNDATEC
- Órgão
- CAU-RS
- Ano
- 2023
- Nível
- Médio
- Cargo
- Técnico em Microinformática
- ASRAM.
- BDRAM.
- CPROM.
- DEPROM.
- EFlash.
GabaritoB — DRAM.
Gabarito: letra B (DRAM). A descrição do enunciado — funcionamento com capacitores, perda rápida de dados (microssegundos) e necessidade de circuitos externos que reescrevam os dados periodicamente — é a definição clássica da memória DRAM (Dynamic Random Access Memory). As demais alternativas não se encaixam: SRAM usa flip-flops (não capacitores), PROM, EPROM e Flash são memórias não voláteis (retêm dados sem energia).
SRAM (Static RAM) é construída com flip-flops (latchs) e não utiliza capacitores. Ela retém os dados enquanto alimentada, sem necessidade de refresh periódico, e é mais rápida e mais cara que a DRAM.
DRAM armazena cada bit em um capacitor miniatura. Como os capacitores perdem carga naturalmente, o dado se perde em milissegundos/microssegundos, por isso um circuito de refresh lê e reescreve cada célula a cada poucos milissegundos. É a memória principal mais comum em computadores.
PROM (Programmable Read-Only Memory) é uma memória não volátil que pode ser programada uma vez, mas não depende de capacitores para armazenamento e não precisa de refresh.
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) é não volátil e pode ser apagada por luz ultravioleta; não usa capacitores nem refresh.
Flash é uma memória não volátil baseada em transistores de porta flutuante, não em capacitores, e não requer refresh.
Decore a diferença: DRAM = capacitor (dinâmico, precisa refrescar); SRAM = flip-flop (estático, não precisa refrescar). Em provas, questões sobre refresh periódico sempre apontam para DRAM.
Gabarito: letra B (DRAM).
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