Questão de Engenharia Elétrica — Materiais Elétricos — VUNESP 2025
Engenharia ElétricaMateriais Elétricos
- Código
- vu112085
- Banca
- VUNESP
- Órgão
- UNESP
- Ano
- 2025
- Nível
- Superior
- Cargo
- V - - Assistente de Suporte Acadêmico II - Área de Atuação: Laboratórios de Física - Edital nº 232
No processo de produção e construção de dispositivos semicondutores, uma das formas de dopagem é realizada com a introdução de impurezas trivalentes a um semicondutor intrínseco.Nesse caso, o número de elétrons da camada de valência da impureza introduzida, o tipo de material dopado obtido e o portador majoritário de cargas criado nesse material são, respectivamente,
- A3 elétrons na camada de valência, material tipo P e elétron livre.
- B5 elétrons na camada de valência, material tipo N e lacuna.
- C3 elétrons na camada de valência, material tipo N e lacuna.
- D5 elétrons na camada de valência, material tipo P e elétron livre.
- E3 elétrons na camada de valência, material tipo P e lacuna.