Pular para o conteúdo principal

Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica — CESPE / CEBRASPE 2011

Engenharia EletrônicaEletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
Código
ce336288
Banca
CESPE / CEBRASPE
Órgão
STM
Ano
2011
Nível
Superior
Cargo
CESPE - - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica - Específicos
O dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P ou N, e a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle.
  1. CCerto
  2. EErrado
Revelar gabarito e comentário

GabaritoC — Certo

Comentário gerado por IA. É um apoio ao estudo, ancorado em fontes, mas pode conter imprecisões — confira sempre na fonte oficial (lei, súmula, edital e gabarito da banca). Encontrou um erro? Use “Reportar”.

C

Link permanente: /questoes/ce336288