Questão de Engenharia Elétrica — Semicondutores de Potência (DIAC, TRIAC, SCR, IGBT, GTO) — FGV 2019
Engenharia ElétricaSemicondutores de Potência (DIAC, TRIAC, SCR, IGBT, GTO)
- Código
- fg148172
- Banca
- FGV
- Órgão
- DPE RJ
- Ano
- 2019
- Cargo
- TSE ( )
A figura abaixo apresenta um dispositivo de disparo típico utilizando SCR. Sabendo-se que a tensão e a corrente de gatilho para esse circuito são iguais a 1,6 V e 80 mA, a tensão da bateria E, em volts, é:

- A30,4;
- B32,0;
- C32,6;
- D33,6;
- E35,2.