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Questão de Engenharia Elétrica — Semicondutores de Potência (DIAC, TRIAC, SCR, IGBT, GTO) — FGV 2019

Engenharia ElétricaSemicondutores de Potência (DIAC, TRIAC, SCR, IGBT, GTO)
Código
fg148172
Banca
FGV
Órgão
DPE RJ
Ano
2019
Cargo
TSE ( )
A figura abaixo apresenta um dispositivo de disparo típico utilizando SCR. Sabendo-se que a tensão e a corrente de gatilho para esse circuito são iguais a 1,6 V e 80 mA, a tensão da bateria E, em volts, é:Imagem associada para resolução da questão
  1. A30,4;
  2. B32,0;
  3. C32,6;
  4. D33,6;
  5. E35,2.
Revelar gabarito e comentário

GabaritoD — 33,6;

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