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Questão de Engenharia Elétrica — Transistor Junção Bipolar (TJB) — FEPESE 2026

Engenharia ElétricaTransistor Junção Bipolar (TJB)
Código
qa416010
Banca
FEPESE
Órgão
PCien SC
Ano
2026
Cargo
Per Of Crim ( )
O circuito abaixo mostra uma configuração com polarização por realimentação de tensão de um transistor bipolar de junção (BJT).   Assinale a alternativa que melhor descreve a equação para o cálculo da corrente de base do transistor BJT para o ponto quiescente.   Considere que o transistor está na região ativa e β\beta é o ganho do transistor.Imagem associada para resolução da questão
  1. AIB=VCCVBERB+βRCI_{B} = \frac{V_{CC} - V_{BE}}{R_{B} + \beta R_{C}}
  2. BIB=VCCVBERB(β+1)I_{B} = \frac{V_{CC} - V_{BE}}{R_{B}(\beta + 1)}
  3. CIB=VCC+VBEβRBI_{B} = \frac{V_{CC} + V_{BE}}{\beta R_{B}}
  4. DIB=VCCVBERB+RCI_{B} = \frac{V_{CC} - V_{BE}}{R_{B} + R_{C}}
  5. EIB=(VCCVBE)(RBRC)RB+RCI_{B} = \frac{(V_{CC} - V_{BE})(R_{B}R_{C})}{R_{B} + R_{C}}
Revelar gabarito e comentário

GabaritoA — I_{B} = \frac{V_{CC} - V_{BE}}{R_{B} + \beta R_{C}}

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