Questão de Engenharia Eletrônica — Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica — FURB 2024
Engenharia EletrônicaEletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
- Código
- qg193460
- Banca
- FURB
- Órgão
- Prefeitura de Guabiruba - SC
- Ano
- 2024
- Nível
- Médio
- Cargo
- Eletricista-Encanador
O _________ é um transistor bipolar de porta isolada que combina as características dos transistores MOSFET e BJT. Ele é amplamente utilizado em aplicações de potência como fontes, conversores e inversores. O _____ é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs, apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente.Assinale a alternativa que corretamente completa as lacunas no excerto:
- ATRIAC
- BDIODO
- CDIAC
- DIGBT
- EJFET