Questão de Engenharia de Telecomunicações — Circuitos — SELECON 2026
Engenharia de TelecomunicaçõesCircuitos
- Código
- qg762396
- Banca
- SELECON
- Órgão
- UFRJ
- Ano
- 2026
- Nível
- Superior
- Cargo
- Engenheiro de Telecomunicações
Considere um MOSFET NMOS de canal longo, com fonte e substrato conectados (VSB = 0), operando em regime DC com VGS = 0,8 V, VTH = 0,6 V e VDS = 0,5 V. Mede-se ID = 1,0 mA. Admita o modelo em saturação com modulação de comprimento de canal, em que:gm ≈ 2ID /VOV, com VOV = VGS − VTH, e ro ≈ 1/(λID).Considere λ = 0,10 V-¹ e um resistor RD = 10 kΩ ligado ao dreno (configuração fonte comum), desprezando capacitâncias. A região de operação e os valores aproximados de gm , ro e do ganho de pequeno-sinal Av = vout/vin são:
- Aregião linear (triodo); gm ≈ 5 mS; ro ≈ 10 kΩ; Av ≈ −25
- Bregião linear (triodo); gm ≈ 10 mS; ro ≈ 5 kΩ; Av ≈ −33
- Csaturação; gm ≈ 10 mS; ro ≈ 10 kΩ; Av ≈ −50
- Dsaturação; gm ≈ 5 mS; ro ≈ 10 kΩ; Av ≈ −25
- Esaturação; gm ≈ 10 mS; ro ≈ 5 kΩ; Av ≈ −33