Questão de Arquitetura de Computadores — Barramento — Avança SP 2023

Barramentos de controle e memórias: o que a banca cobra

Gabarito: letra E. A EEPROM é, de fato, uma memória somente de leitura (ROM) que pode ser regravada eletronicamente — essa é a definição clássica do termo (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory). As demais alternativas erram ao inverter o sentido dos sinais de controle (WR e INTA), ao classificar a DRAM como estática e ao confundir vazão com tempo de resposta.

O barramento de controle é o conjunto de linhas que transporta os sinais de comando entre a CPU e os demais componentes. Cada sinal tem um significado preciso: o sinal WR (Write) indica que a operação é de gravação (escrita), enquanto o sinal RD (Read) indica leitura. Já o sinal INTA (Interrupt Acknowledge) é usado para reconhecer uma interrupção — não tem relação com gravação ou leitura de dados. A banca explora exatamente essa confusão entre os sinais.

As memórias RAM dividem-se em dois grandes grupos: as estáticas (SRAM) e as dinâmicas (DRAM). A SRAM usa um flip-flop (tipicamente seis transistores) para armazenar cada bit, o que a torna rápida, mas cara e volumosa — por isso é usada em cache. A DRAM, por sua vez, usa um capacitor e um transistor por bit, sendo mais densa e barata, mas precisa de refresh constante — é a memória principal dos computadores. A alternativa B inverte exatamente essa classificação.

No que diz respeito a desempenho, dois conceitos são frequentemente confundidos: vazão (throughput) e tempo de resposta (latência). A vazão mede a quantidade de trabalho realizado por unidade de tempo (ex.: tarefas por segundo), enquanto o tempo de resposta é o tempo total para completar uma tarefa individual. A alternativa D troca os dois.

Por fim, as memórias ROM (Read-Only Memory) têm variações: a PROM é programável uma única vez; a EPROM é apagável por luz ultravioleta; e a EEPROM é apagável e regravável eletricamente, sem necessidade de remoção do circuito. É essa última que a alternativa E descreve corretamente.

Guarde a fronteira entre os sinais de controle (WR = escrita, RD = leitura, INTA = reconhecimento de interrupção) e entre os tipos de memória (SRAM estática × DRAM dinâmica; ROM × EEPROM): é exatamente nesses pares que as alternativas se dividem.

Alternativa A — ❌ Incorreta

O sinal WR (Write) indica gravação, não leitura. A alternativa inverte o sentido do sinal. O sinal correto para leitura é RD (Read). A banca troca o significado do sinal de controle para induzir o candidato ao erro.

Alternativa B — ❌ Incorreta

A DRAM é uma memória dinâmica, composta por um capacitor e um transistor por bit — não é estática e não usa seis transistores. A memória estática (SRAM) é que usa tipicamente seis transistores por bit (flip-flop). A alternativa confunde SRAM com DRAM.

Alternativa C — ❌ Incorreta

O sinal INTA (Interrupt Acknowledge) é usado para reconhecer uma interrupção, não para indicar gravação. A alternativa atribui ao INTA uma função que pertence ao sinal WR. A banca troca a função do sinal de controle.

Alternativa D — ❌ Incorreta

A vazão (throughput) mede a quantidade de trabalho realizado por unidade de tempo, não o tempo total para completar uma tarefa. O tempo total para completar uma tarefa é o tempo de resposta (latência). A alternativa confunde os dois conceitos de desempenho.

Alternativa E — ✅ Correta ⟵ GABARITO

A EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) é uma memória ROM que pode ser apagada e regravada eletronicamente, sem necessidade de remoção do chip ou de luz ultravioleta. A alternativa descreve corretamente essa característica.

Gabarito: letra E