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Banco de Questões LEVEL

Banco de Questões de Concursos

São 27 questões de provas oficiais de concurso, organizadas por disciplina, banca, órgão e assunto. Filtre abaixo e resolva com gabarito oficial — de graça, sem login.

27 questões · provas oficiais · gabarito + comentário

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27 questões no filtro

  1. Engenharia EletrônicaTransistorFUNDATECIF-RS2023Média

    Segundo Malvino (2011), existem dois modos básicos de ajustar o ponto de operação de um transistor: polarizando a base e polarizando o emissor. Sendo assim, analise a sentença abaixo: Polarizar a base produz um valor fixo na corrente da bas…

  2. Engenharia EletrônicaTransistorInstituto ConsulplanSEED-PR2022Média

    No circuito a seguir, considere RL = 100 ohms; +V = 12V; VBE = 0,7V; e, uma saturação forte, onde Ic/Ib = 10. [imagem] O valor de Rb é, aproximadamente:

  3. Engenharia EletrônicaTransistorQuadrixCREA-GO2019Média

    No que se refere aos conceitos de eletrônica analógica, julgue o item. Fontes de tensão chaveadas regulam a tensão e a corrente de saída, chaveando elementos de armazenamento de energia (capacitores e indutores). Apresentam a vantagem de se…

  4. Engenharia EletrônicaTransistorQuadrixCREA-GO2019Média

    No que se refere aos conceitos de eletrônica analógica, julgue o item. Transistores MOS são menos sensíveis a descargas eletrostáticas que transistores bipolares de junção.

  5. Engenharia EletrônicaTransistorIBADEDEPASA - AC2019Média

    Considere o circuito e curva corrente de base versus tensão base-coletor apresentados na sequência para responder à questão . [imagem] Considerando o ganho do transistor BDC = 200, a corrente no coletor (Ic) é igual a:

  6. Engenharia EletrônicaTransistorFUNDATECPrefeitura de Santa Rosa - RS2019Média

    Determine o valor máximo de Rb, no circuito abaixo, de modo que o transistor opere como chave para acionar a bobina do relé. Considere os seguintes parâmetros para o projeto e que o transistor será acionado por um sinal TTL. Transistor 2N22…

  7. Engenharia EletrônicaTransistorINSTITUTO AOCPITEP-RN2018Média

    Assinale a alternativa que apresenta o valor do ganho de tensão VO/VS, considerando VBE = 0,7 V e Ib = 0,07 mA, para o circuito da Figura 8. [imagem]

  8. Engenharia EletrônicaTransistorFUNDATECIGP-RS2017Média

    No circuito da figura abaixo, o transistor PNP tem β = 100 e VBE = - 0,7 V. Sendo R₁= 20 KΩ, R₂ = 20 KΩ, RC = 3 KΩ, RE = 1 KΩ e VCC = 10 V, qual o valor da corrente IC? [imagem]

  9. Engenharia EletrônicaTransistorFUNDATECIF-RS2025Média

    A Figura 19 abaixo exibe um típico amplificador classe A, usando polarização por divisor de tensão. [imagem] Considerando as informações apresentadas, determine as condições quiescentes desse projeto, ou seja, ICQ, VCEQ, assumindo VBE= 0,7…

  10. Engenharia EletrônicaTransistorFUNDATECIF-RS2025Média

    Analise o circuito multivibrador astável a transistor da Figura 13 abaixo. [imagem] Com base nas informações apresentadas, determine a frequência de operação do circuito. Considere T = 1,38 x (R.C). Realize arredondamentos até a segunda cas…

  11. EletroeletrônicaTransistorIF-SPIF-SP2024Média

    O transistor é um dos componentes eletrônicos mais importantes e comumente utilizados em televisores, rádios, chips de computadores, circuitos integrados e dispositivos móveis. As funções principais de um transistor são: amplificação de um…

  12. Engenharia EletrônicaTransistorFUNDATECPrefeitura de Cruz Alta - RS2024Média

    Relacione a Coluna 1 à Coluna 2, associando os símbolos esquemáticos usados para representar dispositivos semicondutores ativos às suas respectivas definições. Coluna 1 [imagem] Coluna 2 ( ) MOSFET de canal n. ( ) JFET de canal n. ( ) Trans…

  13. Engenharia EletrônicaTransistorFGVFIOCRUZ2010Média

    Considere um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) com corpo aterrado e tensões de gate, dreno, fonte e limiar (threshold) dadas, respectivamente, por VG, VD, VS, e Vt. Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário qu…

  14. Engenharia EletrônicaTransistorFGVINPE2024Média

    Os semicondutores são a matéria prima dos dispositivos eletrônicos, como diodos, TBJ, MOSFET, entre outros. Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.

  15. Engenharia EletrônicaTransistorFGVIMBEL2021Média

    A respeito das características dos transistores MOSFET, analise as afirmativas a seguir. I. São dispositivos controlados por tensão. II. Podem ser do tipo depleção e intensificação, tanto com canal tipo n quanto com tipo p. III. Obedecem a…

  16. Engenharia EletrônicaTransistorFGVFUNSAÚDE - CE2021Média

    A figura a seguir apresenta uma polarização típica de um circuito amplificador transistorizado alimentado por uma bateria - VCC de 20 V. A corrente no emissor é igual a 5mA e os resistores Re e RC são, respectivamente, iguais a 0,4 kΩ e 2 k…

  17. Engenharia EletrônicaTransistorFGVCOMPESA2018Média

    A respeito dos conversores CA-CC, CA-CA e CC-CC, considere as afirmativas a seguir. I. A tensão média de saída do conversor CC-CC é controlada pela variação do tempo de condução do transistor. II. O conversor CA-CC converte uma tensão CA em…

  18. Engenharia EletrônicaTransistorFGVCOMPESA2018Média

    A figura a seguir apresenta a polarização de um transistor NPN. [imagem] A respeito desse circuito é correto dizer que a corrente

  19. Engenharia EletrônicaTransistorFGVCOMPESA2018Média

    O engenheiro de uma equipe de desenvolvimento de protótipos analisa a folha de dados de um transistor hipotético que possui potência nominal de 800 mW a uma temperatura de 25 oC. Sabendo-se que o fator de degradação do transistor é 10 mW/ o…

  20. Engenharia EletrônicaTransistorFCCDPE-RR2015Média

    O circuito abaixo, onde R2 = R3, constitui um tipo de saída de potência de fonte de alimentação. [imagem] Em condições normais de operação do circuito, a tensão na carga RL é, aproximadamente, em volt,

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